2年后追上臺(tái)積電 三星計(jì)劃2022年量產(chǎn)3nm：首發(fā)GAA工藝

  ICC訊  在半導(dǎo)體晶圓代工上，臺(tái)積電一家獨(dú)大，從10nm之后開始遙遙領(lǐng)先，然而三星的追趕一刻也沒放松，今年三星也量產(chǎn)了5nm EUV工藝。三星計(jì)劃在2年內(nèi)追上臺(tái)積電，2022年將量產(chǎn)3nm工藝。

  從2019年開始，三星啟動(dòng)了一個(gè)“半導(dǎo)體2030計(jì)劃”，希望在2030年之前投資133萬億韓元，約合1160億美元稱為全球最大的半導(dǎo)體公司，其中先進(jìn)邏輯工藝是重點(diǎn)之一，目標(biāo)就是要追趕上臺(tái)積電。

  在最近的幾代工藝上，三星的量產(chǎn)進(jìn)度都落后于臺(tái)積電，包括10nm、7nm及5nm，不過5nm算是縮短了差距，今年也量產(chǎn)了，此前也獲得了高通、NVIDIA、IBM等客戶的8nm、7nm訂單。

  但三星追趕臺(tái)積電的關(guān)鍵是在下一代的3nm上，因?yàn)檫@一代工藝上三星押注了GAA環(huán)繞柵極晶體管，是全球第一家導(dǎo)入GAA工藝以取代FinFET工藝的，而臺(tái)積電比較保守，3nm還是用FinFET，2nm上才會(huì)使用GAA工藝。

  最新消息稱，三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門的高管日前透露說，三星計(jì)劃在2022年量產(chǎn)3nm工藝，而臺(tái)積電的計(jì)劃是2022年下半年量產(chǎn)3nm工藝，如此一來三星兩年后就要趕超臺(tái)積電了。

  值得一提的是，臺(tái)積電也似乎感受到了三星的壓力，原本計(jì)劃2024年才推出2nm工藝，現(xiàn)在研發(fā)順利，2023年下半年就準(zhǔn)確試產(chǎn)了。