安立光器件開發(fā)史 |（一）半導體激光器開發(fā)的黎明期

  ICC訊 本系列文章介紹安立傳感與器件公司(Anritsu Sensing &Devices Company)的產(chǎn)品開發(fā)歷史。1964年東京奧運會之后的日本經(jīng)濟高速增長時期，通信需求大幅增加。日本電信電話公社(NTT的前身)決定建設(shè)光纖傳輸網(wǎng)絡，標志著光通信時代的開始。因此，安立傳感與器件公司的前身開始開發(fā)用于光網(wǎng)絡測量儀器的關(guān)鍵器件，如半導體激光器和高速混合集成電路。安立傳感器件公司今天的許多產(chǎn)品都繼承了這一時期的產(chǎn)品基礎(chǔ)。本系列文章介紹了安立傳感器件公司開發(fā)的器件的歷史。本篇文章首先闡述了光器件發(fā)展的機遇和早期階段。

  (1)半導體激光器開發(fā)的黎明期

  光纖通信具有傳輸損耗低、速度快、容量大等優(yōu)點，但玻璃光纖芯極易斷裂。在長距離光纖中定位斷裂部位需要一種稱為光時域反射計(OTDR)的測量儀器。制造這種儀器需要高輸出半導體激光二極管(LD)，該器件在光通信使用的1μm波段發(fā)光。

  20世紀80年代CD播放機普及之后，LDs和發(fā)光二極管(LED)等半導體激光設(shè)備在辦公室和家庭中得到廣泛應用。而在當時，“激光”指的是固定激光器和氣體激光器。雖然這些類型的激光器具有較高的輸出，但設(shè)備較大，不適合臺式測量儀器，且光輸出與光纖輸入不匹配。因此，我們開始研究LD的未來發(fā)展。

  東京工業(yè)大學的末松研究室是這一領(lǐng)域的先驅(qū)，根據(jù)他們的建議，安立在20世紀60年代后半期開始了LD開發(fā)的基礎(chǔ)研究。1975年引進的晶體生長設(shè)備使安立能夠進行LD開發(fā)，我們最終成功地在砷化鎵(GaAs)襯底上成功實現(xiàn)了0.85μm帶LD的室溫連續(xù)振蕩。1979年，在NTT電氣通信研究所的技術(shù)協(xié)助下，開始研究使用磷化銦(InP)襯底的長波LD。

  在0.85μm波段OTDR產(chǎn)品化之后，安立開發(fā)的1μm波段LD最終于1984年用于期待已久的通信波段OTDR(上圖左中為MW98A)。

  此OTDR中使用的LD如上右圖所示。帶孔的金屬部分是一個6mm寬的銅散熱器，連接到頂部的LD芯片上;芯片本身非常小，只有0.3(長)x0.4(寬)x0.1(高)毫米。由于銅散熱片的線膨脹系數(shù)遠大于LD-InP襯底，直接焊接的鍵合存在可靠性問題。因此，我們在LD芯片和銅散熱器之間使用了具有中等線膨脹系數(shù)和優(yōu)良熱輻射特性的工業(yè)金剛石層。

  OTDR分析在光纖中傳播的散射和反射光信號，以定位光纖中的斷點并測量損耗等?？梢酝ㄟ^測量發(fā)射和返回光信號之間的時間差和電平來計算故障和損耗的距離。因此，光源的光輸出必須是矩形脈沖，而不是連續(xù)波(CW)。當時，制造工藝還不成熟，盡管連續(xù)光的輸出沒有問題，但由于脈沖驅(qū)動和反射光的影響，仍然存在強度波動、共振和不穩(wěn)定反射(見下圖)的問題，因此有必要檢查每個光波形。

  多數(shù)人對激光的印象是直線發(fā)射的光，就像激光指針一樣，但半導體發(fā)射的光是通過自由空間擴散的，因為半導體激光器的發(fā)射面積非常小。因此，必須使用由兩個透鏡組成的光收集系統(tǒng)將該光輸入到直徑為10μm(千分之一毫米)的光纖芯中進行通信：一個球面透鏡和梯度折射率(GRIN)透鏡。后者是一種柱面透鏡，其中折射率從外圍到中心軸發(fā)生變化。由于透鏡長度控制著透鏡放大率，因此它具有體積小、使用方便的優(yōu)點。如下圖所示，這些部件從靠近LD端面到光纖端面按順序安裝，這要求光纖軸在微米級對齊。安裝使用兩種液體粘合劑，需要幾個小時才能完全硬化。由于硬化時間和粘合劑收縮的變化，有時不可能防止軸錯位，這需要使用專家調(diào)整軸對齊，以考慮粘合劑硬化時的移動。1.55μm OTDR是世界上第一臺支持單模光纖(SMF)的測量儀器，為光纖通信帶來了創(chuàng)新的質(zhì)量。