格羅方徳公布新硅光子學(xué)路線圖 滿足未來數(shù)據(jù)中心連接需求

  Iccsz訊 近日，位于美國加州的格羅方徳(GlobalFoundries)公司透露了其硅光子學(xué)路線圖的新細(xì)節(jié)，以實現(xiàn)下一代數(shù)據(jù)中心和云的光互連應(yīng)用。該公司首套使用300mm晶圓的90nm制造工藝已經(jīng)經(jīng)過認(rèn)定，同時還即將推出45nm工藝技術(shù)，以提供更高的帶寬和能源效率。通過GlobalFoundries的硅光子技術(shù)能夠支持傳輸數(shù)據(jù)的大幅增長對全球通信基礎(chǔ)設(shè)施提出的更高需求。

  格羅方徳的硅光子技術(shù)

  GlobalFoundries的硅光子技術(shù)能夠?qū)⒐鈱W(xué)元件與電路并排集成在單個硅芯片上。這種單片方法能夠利用標(biāo)準(zhǔn)硅制造技術(shù)來提高生產(chǎn)效率并降低部署光互連系統(tǒng)的成本。

  GlobalFoundries的銷售和ASIC業(yè)務(wù)部門高級副總裁Mike Cadigan說：“數(shù)據(jù)對帶寬的急劇需求推動了對新一代光互連的需求，我們的硅光子技術(shù)能夠為客戶提供前所未有的連接性能來傳輸海量數(shù)據(jù)，無論是在數(shù)據(jù)中心內(nèi)的芯片之間，還是跨越數(shù)百甚至數(shù)千英里的云服務(wù)器之間。結(jié)合我們先進的ASIC和封裝能力，這些技術(shù)能夠讓我們?yōu)檫@個市場提供高度差異化的解決方案?！?

  GlobalFoundries的硅光子產(chǎn)品利用其在制造高性能射頻芯片方面的經(jīng)驗，采用90nm RF絕緣體上硅(SOI)工藝制造。該平臺能夠提供30GHz帶寬的解決方案，支持高達800Gbps的客戶端數(shù)據(jù)速率以及長達120km的長距離互連。

  射頻SOI工藝向300mm晶圓轉(zhuǎn)移

  該工藝技術(shù)以前使用200mm晶圓加工生產(chǎn)，現(xiàn)已在紐約East Fishkill的GlobalFoundries Fab 10工廠的300mm晶圓上獲得認(rèn)證。向300mm晶圓的遷移使得客戶能力提高，制造生產(chǎn)力提高，光子損耗降低2倍，從而提高覆蓋范圍，實現(xiàn)更高效的光學(xué)系統(tǒng)。

  90納米技術(shù)由Cadence Design Systems提供完整的工藝設(shè)計套件(PDK)，包括的E/O/E協(xié)同設(shè)計、偏振、溫度和波長參數(shù)以及差分光子測試功能，包括從技術(shù)驗證到建模的五個測試部分，到多芯片模塊(MCM)產(chǎn)品測試等。

  45nm射頻SOI技術(shù)即將量產(chǎn)

  GlobalFoundries的下一代單片硅光子產(chǎn)品將采用45nm射頻SOI工藝制造，預(yù)計2019年投產(chǎn)。通過利用更先進的45納米節(jié)點，該技術(shù)將實現(xiàn)功耗降低、尺寸更小、光帶寬度更高的光收發(fā)器產(chǎn)品，來解決下一代太比特應(yīng)用。

  其45nm射頻硅SOI技術(shù)平臺已通過驗證并準(zhǔn)備就緒在美國紐約州East Fishkill的300mm生產(chǎn)線進行批量生產(chǎn)。目前有多家客戶參與了先進RF SOI工藝，該工藝針對5G毫米波(mmWave)前端模塊(FEM)應(yīng)用，包括未來的智能手機和下一代毫米波波束成形系統(tǒng)。

  該公司的45RFSOI平臺針對波束形成FEM進行了優(yōu)化，其特點是通過結(jié)合高頻晶體管、高電阻率SOI襯底和超厚銅布線來提高射頻性能。此外，SOI技術(shù)可輕松集成功率放大器、開關(guān)、低噪聲放大器(LNA)、移相器、上/下變頻器和壓控振蕩器(VCO)/鎖相環(huán)(PLL)，從而降低成本、尺寸和功耗，以用于未來每秒數(shù)千兆比特通信系統(tǒng)，包括互聯(lián)網(wǎng)寬帶衛(wèi)星、智能手機和5G基礎(chǔ)設(shè)施等。