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Marvell宣布業(yè)界首個加速基礎架構芯片的2nm平臺

摘要:Marvell宣布正在擴大與臺積電的合作,開發(fā)業(yè)界首個生產針對加速基礎設施優(yōu)化的2nm半導體的技術平臺。

  ICC訊(編譯:Nina)美國加州圣克拉拉--2024年3月7日--數(shù)據(jù)基礎設施半導體解決方案的領導者Marvell Technology, Inc.(納斯達克:MRVL)正在擴大與臺積電的合作,開發(fā)業(yè)界首個生產針對加速基礎設施優(yōu)化的2nm半導體的技術平臺。

  - Marvell將與臺積電的長期合作伙伴關系擴展到2nm制造領域。
  - 2nm構建模塊和基礎IP,以提高用于加速基礎設施的云優(yōu)化硅的性能和效率。
  - Marvell在5nm和3nm基礎架構芯片領域領先。

  Marvell 2nm平臺背后是該公司業(yè)界領先的IP產品組合,涵蓋了全方位的基礎設施需求,包括速度超過200Gbps的高速長距離SerDes、處理器子系統(tǒng)、加密引擎、片上系統(tǒng)結構、芯片到芯片互連,以及用于計算、內存、網(wǎng)絡和存儲架構的各種高帶寬物理層接口。這些技術將成為生產云優(yōu)化定制計算加速器、以太網(wǎng)交換機、光和銅互連數(shù)字信號處理器以及為人工智能集群、云數(shù)據(jù)中心和其他加速基礎設施提供動力的其他設備的基礎。

  投資于互連和高級封裝等平臺組件對于加快基礎設施建設至關重要:平臺級的突破緩解了可能阻礙整個系統(tǒng)性能的數(shù)據(jù)瓶頸,并減少了用于運行最復雜應用的多芯片解決方案的成本和上市時間。

  Marvell首席開發(fā)官Sandeep Bharathi表示:“未來的人工智能工作負載將需要在性能、功率、面積和晶體管密度方面取得顯著的進步。2nm平臺將使Marvell能夠提供高度差異化的模擬、混合信號和基礎IP,以構建能夠實現(xiàn)人工智能承諾的加速基礎設施。我們與臺積電在5nm、3nm和現(xiàn)在的2nm平臺上的合作,有助于Marvell擴大在硅方面所能取得的成就?!?

  臺積電業(yè)務發(fā)展高級副總裁Kevin Zhang表示:“臺積電很高興與Marvell合作,共同開發(fā)一個平臺,以推進我們2nm工藝技術的加速基礎設施。我們期待與Marvell繼續(xù)合作,利用臺積電一流的工藝和封裝技術,開發(fā)領先的連接和計算產品?!?

  Marvell憑借其5nm平臺將先進節(jié)點技術引入基礎設施硅,從一個快速跟隨者轉變?yōu)轭I導者。Marvell緊隨這一成就,推出了幾款5nm設計,以及首個基于臺積電3nm工藝的基礎架構硅產品組合。

  Bharathi說:“我們采用模塊化的方法進行半導體設計研發(fā),首先專注于鑒定可用于廣泛設備的基礎模擬、混合信號IP和先進封裝。這使我們能夠更快地將工藝制造進步等創(chuàng)新推向市場?!?

  原文:Marvell Announces Industry’s First 2nm Platform for Accelerated Infrastructure Silicon -- https://www.marvell.com/company/newsroom/marvell-announces-industry-first-2nm-platform-for-accelerated-infrastructure-silicon.html

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