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中科院物理所發(fā)布拓?fù)淝幻姘l(fā)射激光器(TCSEL)

摘要:中國科學(xué)院物理研究所將原創(chuàng)的拓?fù)涔馇粦?yīng)用于面發(fā)射半導(dǎo)體激光器中,研制出了拓?fù)淝幻姘l(fā)射激光器(topological-cavity surface-emitting laser: TCSEL)

  半導(dǎo)體激光器體積最小、效率最高、波長最廣,價格最低,是各類應(yīng)用場景之首選,但出射功率低和光束質(zhì)量差是其最大的瓶頸,難點(diǎn)更在于這兩個指標(biāo)一般無法同時提高:雖然增大器件尺寸可以提高激光功率,但是大器件中的多模激射會降低光束質(zhì)量。之前,中國科學(xué)院物理研究所/北京凝聚態(tài)物理國家研究中心光物理重點(diǎn)實驗室L01組陸凌團(tuán)隊,提出了一種“狄拉克渦旋”拓?fù)涔馇?,是已知大面積單模性最好的光腔設(shè)計,可以從原理上突破現(xiàn)有瓶頸,同時提高出射功率和光束質(zhì)量。


  最近,他們將原創(chuàng)的拓?fù)涔馇粦?yīng)用于面發(fā)射半導(dǎo)體激光器中,研制出了拓?fù)淝幻?/a>發(fā)射激光器(topological-cavity surface-emitting laser: TCSEL), 得到了遠(yuǎn)超同類商用產(chǎn)品的指標(biāo)和性能(見圖一中的比較)。在1550nm這一最重要的通信和人眼安全波段,同時實現(xiàn)了單個器件10W峰值功率、小于1°的遠(yuǎn)場發(fā)散角、60dB邊模抑制比,和二維多波長陣列的集成能力。相關(guān)研究成果以“Topological-cavity surface-emitting laser”為題于2022年03月18日在線發(fā)表在Nature Photonics雜志網(wǎng)站上,TCSEL的發(fā)明對于人臉識別、自動駕駛、虛擬現(xiàn)實所需的三維感知和激光雷達(dá)等新興技術(shù)有重要意義。


圖1. TCSEL與現(xiàn)有商用單模激光器的對比:一維中,邊發(fā)射的相移分布反饋激光器(DFB)和垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)均采用帶間模式穩(wěn)定激射; 

 在二維中,拓?fù)涔馇幻?A href="http://lakesideeventsmn.com/site/CN/Search.aspx?page=1&keywords=%e5%8f%91%e5%b0%84%e6%bf%80%e5%85%89%e5%99%a8&column_id=ALL&station=%E5%85%A8%E9%83%A8" target="_blank">發(fā)射激光器(TCSEL)可以大面積單模工作,與一維相比可以提供更高的發(fā)射功率,更窄的光束發(fā)散角,和多波長二維陣列等優(yōu)勢。

  通過分析主流單模半導(dǎo)體激光器的設(shè)計我們發(fā)現(xiàn)(圖一),用于互聯(lián)網(wǎng)通信的分布式反饋邊發(fā)射激光器(distributed Feedback: DFB)和用于手機(jī)人臉識別的垂直腔面發(fā)射激光器(vertical-cavity surface-emitting lasers: VCSEL),在其最優(yōu)化的諧振腔設(shè)計中均采用了一維周期結(jié)構(gòu)中帶間拓?fù)淙毕菽J絹韺崿F(xiàn)穩(wěn)定單模工作。而TCSEL正是延續(xù)和推廣了這樣的成功路線,實現(xiàn)了與半導(dǎo)體芯片平面工藝最匹配的二維版本。

圖2. TCSEL性能:左側(cè)圖為激光器輸入輸出的功率,插圖為激光器的遠(yuǎn)場照片、顯微鏡圖、掃描電子顯微鏡圖;右側(cè)圖為多波長陣列特性。

  大面積單模是TCSEL的一個獨(dú)特優(yōu)勢, 這同時提高了出射功率和光束質(zhì)量:面發(fā)射峰值功率大于10 W,光束發(fā)散角小于1°(圖2左)。相比之下,商用DFB的輸出一般為數(shù)十mW的量級,單個VCSEL的輸出為幾mW,面發(fā)射的典型發(fā)散角為20°,邊發(fā)射器件的光束質(zhì)量通常更差。圖2左插圖為直徑500μm器件的顯微鏡照片和掃描電子顯微鏡照片,可以清楚的看到器件標(biāo)志性的渦旋結(jié)構(gòu),TCSEL的遠(yuǎn)場為徑向偏振分布的矢量光束。TCSEL的高功率和低發(fā)散角優(yōu)勢可以增加三維傳感的距離,減少光學(xué)系統(tǒng)的尺寸、復(fù)雜性和成本。

  波長靈活性是TCSEL的另一個獨(dú)特優(yōu)勢,比如可以實現(xiàn)二維多波長面陣。VCSEL的垂直腔是在外延生長過程中形成的,不但激光波長受到材料生長的嚴(yán)重制約,而且其陣列在同片晶元上缺乏波長可調(diào)性。而DFB雖然可以調(diào)節(jié)波長,但是由于邊發(fā)射的裂片制造工藝約束,只能實現(xiàn)一維多波長整列。相比之下,TCSEL的波長可以在平面加工過程中任意調(diào)節(jié),圖2(右)中通過改變晶格常數(shù),相應(yīng)的激光波長從1512nm到1616nm線性變化,二維陣列都穩(wěn)定單模工作,邊模抑制比均大于50dB。這種多波長TCSEL二維陣列可以潛在地提高波分復(fù)用技術(shù)的功率、帶寬和集成度,可以應(yīng)用于高容量信號傳輸和多光譜激光傳感等眾多應(yīng)用領(lǐng)域。

  拓?fù)湮锢碜粤孔踊魻栃?yīng)發(fā)現(xiàn)以來一直是基礎(chǔ)研究領(lǐng)域的焦點(diǎn),獲得了多個諾貝爾物理獎(1985,1998,2016)。雖然拓?fù)漪敯粜栽诶碚撋峡梢燥@著提高器件的穩(wěn)定性和指標(biāo),但至今還沒有明確的應(yīng)用出口,TCSEL的發(fā)明有望解決拓?fù)湮锢響?yīng)用的長期瓶頸。

  論文的共同第一作者為中科院物理所博士生楊樂臣和博士后李廣睿,第三作者為博士后高曉梅,通訊作者為陸凌研究員,TCSEL的器件制備在物理所微加工實驗室完成。該研究工作得到了中國科學(xué)院、科技部、國家自然科學(xué)基金委、和北京市自然科學(xué)基金委的資助。

  論文鏈接: Topological-cavity surface-emitting laser.pdf

內(nèi)容來自:中國科學(xué)院物理研究所
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