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“國產(chǎn)芯片”有望實現(xiàn)彎道超車

摘要:國產(chǎn)芯片發(fā)展之路,除了遵循摩爾定律,研發(fā)硅芯片外,或許能依靠石墨烯、光量子等新材料芯片的研發(fā),實現(xiàn)芯片賽道的彎道超車。

  ICC訊 中國科學技術大學近日在官方宣布郭光燦院士團隊在光量子芯片研究中取得重大進展,首次在拓撲保護光子晶體芯片中實現(xiàn)量子干涉,讓我們在實現(xiàn)光量子芯片的量產(chǎn)道路上更近一步!

  目前,芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨瓶頸,推出新的架構是一大解決方案,但更“根本”的辦法,或許是找到能夠替代硅的新材料。

  新材料具備全新的物理機制,將實現(xiàn)全新的邏輯、存儲及互聯(lián)概念和器件,推動半導體產(chǎn)業(yè)的革新。包括石墨烯、磷烯、硼烯在內的二維超導材料、以及由拓樸絕緣體構成的量子芯片,都是與經(jīng)典芯片完全不同的研究方向。

  而郭光燦院士團隊的任希峰研究小組與中山大學董建文、浙江大學戴道鋅等研究組的合作研發(fā),便是繞開摩爾定律,對光量子芯片這一全新技術路徑的探索。

  (作者:陳浩  責編:Martin)

內容來自:中關村在線
本文地址:http://lakesideeventsmn.com//Site/CN/News/2021/06/17/20210617024920256859.htm 轉載請保留文章出處
關鍵字: 芯片 超車
文章標題:“國產(chǎn)芯片”有望實現(xiàn)彎道超車
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