CIOE 2024 | 國科光芯800G/1.6T TFLN/SiN異質(zhì)集成硅光芯片 展位號11D83

  ICC訊 2024年9月11日-13日，第二十五屆中國國際光電博覽會(CIOE中國光博會)將在深圳國際會展中心隆重舉辦。來自全球超30個(gè)國家和地區(qū)的超3700家優(yōu)質(zhì)企業(yè)匯聚深圳，共赴一場覆蓋光電應(yīng)用全產(chǎn)業(yè)鏈的行業(yè)盛會。

  本次展會，國科光芯(海寧)科技股份有限公司將攜子公司凱偉佩科(海寧)光電有限公司，重點(diǎn)面向光通信及傳感兩大領(lǐng)域，展出800G/1.6T TFLN/SiN 異質(zhì)集成硅光芯片、FMCW激光雷達(dá)光引擎、消費(fèi)類激光雷達(dá)以及可調(diào)諧窄線寬激光器等系列產(chǎn)品。

  展位1信息通信展館：11D83(光通信應(yīng)用)

  展位2智能傳感展館：6B45 (傳感應(yīng)用)

  兩大應(yīng)用領(lǐng)域產(chǎn)品同時(shí)展出，誠摯邀請各位行業(yè)朋友蒞臨展臺觀展交流!!!

  國科光芯自成立以來，一直專注于氮化硅(SiN)技術(shù)平臺的研究與創(chuàng)新，掌握核心芯片流片技術(shù)，致力于成為全球領(lǐng)先硅光芯片技術(shù)及整體解決方案公司。經(jīng)過多年的工藝迭代和技術(shù)積累，國科光芯成功打通了8英寸低損耗氮化硅硅光量產(chǎn)平臺，實(shí)現(xiàn)了傳輸損耗0.1dB/cm的氮化硅硅光芯片量產(chǎn)能力，工藝良率超95%?；诔墒炜闪慨a(chǎn)的氮化硅工藝技術(shù)，公司開發(fā)并搭建氮化硅(SiN)與薄膜鈮酸鋰(TFLN)異質(zhì)集成技術(shù)平臺，充分發(fā)揮SiN傳輸?shù)蛽p耗以及TFLN高帶寬的性能優(yōu)勢，

  本次國科光芯光通信應(yīng)用展臺重點(diǎn)展出800G/1.6T TFLN/SiN異質(zhì)集成硅光芯片，助力AI應(yīng)用智算中心高速光互聯(lián)。

  1.6T DR8 TFLN/SiN Tx PIC 產(chǎn)品特性：

  · SiN and TFLN heterogeneous integration technology

  · Integrated 8 optical lanes, each supports 106.25GBaud data transmission rate

  · One LD input drives 4 optical lanes, with total on-chip loss is 13.7dB in typical

  · Operating wavelength range is from 1304.5nm to 1317.5nm

  · Modulator 3dB EO bandwidth > 67GHz with Vpi < 3.0V

  · Large spot size SSC design with I/O optical coupling loss is < 1.5dB, respectively

  屆時(shí)現(xiàn)場將展出公司最新技術(shù)進(jìn)展以及更多高速芯片解決方案，歡迎各位光通信行業(yè)專家蒞臨國科光芯展臺(11D83)參觀指導(dǎo)。